王成
助理教授所在系所：制造技术与装备自动化研究所
电子邮件：cheng-wang@sjtu.edu.cn
通讯地址：上海市闵行区东川路800号
教育背景
2016/09-2021/07，清华大学，化学系，博士，高电子自旋密度碳纳米结构电学性能研究
2020/01-2020/03，哈佛大学，化学与化学生物学系，交流访学，二维拓扑材料异质结及电学器件研究
2016/01-2016/06，弗吉尼亚理工大学，材料科学与工程，本科毕业设计
2012/09-2016/07，天津大学，高分子科学与工程，学士，改性复合材料力学增强机制
王成，上海交通大学长聘教轨助理教授、博士生导师。2016年本科毕业于天津大学，在美国弗吉尼亚理工大学完成本科毕业设计，2021年清华大学化学系博士毕业，期间赴哈佛大学作学术交流访问。博士毕业后加入华为技术有限公司，担任高级工程师、主任工程师、高校技术合作项目经理。从事3DIC异构集成半导体工艺研究，主要聚焦于高密后段互连工艺研发，实现异构集成的架构设计创新、晶圆多层堆叠工艺和新材料开发，新机理探索，用于高性能计算领域、高带宽存储器件和高性能配电网络滤波器芯片集成以提高瞬态响应和精度等研究领域。截至目前已发表8篇学术论文，申请/授权专利20余项，参与国家重点基础研究计划课题、国家自然科学基金面上项目等，同时担任多个期刊审稿人。
团队目前招收博士、硕士研究生，提供博士后岗位，特别优秀的可直接担任特聘助理研究员，欢迎感兴趣的同学与我联系，期待和热爱半导体的你一杯咖啡碰撞思想创新的火花！
工作经历
2025/02-，上海交通大学，981博天娱乐最新版本，助理教授/博士生导师
2021/07-2025/01，华为技术有限公司
研究方向
（1）深入3DIC硅基半导体工艺研发：TSV interposer, Nano TSV, Hybrid bonding, BVR (Backside Via Reveal) 等技术；
（2）高带宽存储器（HBM）、电子器件全集成电压调控（IVR-DTC, MIM）、背面电力传输网络（BSPDN）等关键技术路线演进；
（3）面向下一代3DIC后段工艺、先进封装关键技术开发和STCO协同优化。
学术兼职
2016/09-至今，英国皇家化学学会会员（Royal Society of Chemistry, RSC）
2013/11-2014/11，天津大学学生校长助理
科研项目
2021/01-2025/12，国家自然科学基金-面上项目，第VA族二维纳米结构的可控制备及其力学性质研究，参与
2020/01-2022/12，清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金，新型纳米材料力学性能探索与微机械系统设计，参与
2016/01-2018/12，清华大学“昆山周”产学研之“创业+”项目，二维纳米材高效溶解热法制备，参与
2013/01-2016/12，国家自然科学基金-面上项目，可用于锂离子电池的石墨烯基纳米复合物电极材料合成及性能调控研究，参与
代表性论文专著
[1] Huaqiang Cao, Cheng Wang , Baojun Li, Tianyu Chen, Peng Han, Yan Zhang, Haijun Yang, Qunyang Li, Anthony K. Cheetham. Successive Free-Radical C(sp2)-C(sp2) Coupling Reactions to Form Graphene. CCS Chemistry. 2022, 4(2), 584-597.
与博士导师共同提出全新芳香环碳-碳（sp2-sp2）偶联机制工作，通过 Springer Nature，Jie Jack Li 人名反应认证，已发布德国译文版（Namensreaktionen，https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-031-52850-7_153）
[2] Cheng Wang, Shuai Wu, Xiao Yang, Zihe Yan, Guoxin Xie, Sichun Zhang, Jiadao Wang, Huaqiang Cao. Thickness-Dependent Young's Modulus of Polycrystalline α-PbO Nanosheets. Nanotechnology. 2020, 31(39), 395712.
提出二维氧化物材料杨氏模量随厚度变化物理公式：E = E0+K·t-1，该工作被中国科学网、 中国微米纳米技术学会、中国爱科学网站、中国清新电源等网站报道
[3] Cheng Wang, Zirui Qiao, Yulan Tian, Haijun Yang, Huaqiang Cao, Anthony K. Cheetham. Alcohol Imination Catalyzed by Carbon Nanostructures Synthesized by C(sp2)-C(sp3) Free Radical Coupling. iScience. 2023, 26(5), 106659.
基于所合成碳纳米材料高电子自旋特征，提出全新无金属碳纳米材料自旋催化机理
[4] Cheng Wang, Zirui Qiao, Huaqiang Cao, Anthony K. Cheetham. Production of quasi-graphane. In preparation.
[5] Wei Fu, Jiefu Yin, Huaqiang Cao, Zhongfu Zhou, Junying Zhang, Jingjing Fu, Jamie H. Warner, Cheng Wang, Xiaofang Jia, G. Neville Greaves, Anthony K. Cheetham. Non‐Blinking Luminescence from Charged Single Graphene Quantum Dots[J]. Advanced Materials, 2023, 35(40): 2304074.
软件版权登记及专利
[1] 王成，朱继锋，刘镒，王叶畅，董金文，硅通孔结构、硅通孔背面漏孔的制作方法、电路板和电子设备，CN119230500A [已海外布局]
[2] 王成，白晓阳，董金文，芯片封装结构及其制作方法、电子设备，CN117747573A [已海外布局]
[3] 王成，白晓阳，董金文，芯片封装结构及其制作方法、电子设备，92023341PCT02
[4] 王成，白晓阳，董金文，芯片封装结构及其制作方法、电子设备，92023341EP03
[5] 王成，白晓阳，董金文，陈嘉伟，集成电路及其制备方法、三维集成电路、电子设备，CN117995797A [已海外布局]
[6] 王成，白晓阳，董金文，陈嘉伟，集成电路及其制备方法、三维集成电路、电子设备，92023893PCT02
[7] 王成，朱继锋，王叶畅，董金文，半导体结构及其制备方法、功能芯片和电子设备，CN119208250A [已海外布局]
[8] 王成，朱继锋，王叶畅，董金文，半导体结构及其制备方法、功能芯片和电子设备，92033277PCT02
[9] 王成，谢王晖，殷剑雍，电化学镀铜洗边装置及其工作方法，发明专利，92054978CN01
[10] 王成，陈嘉伟，白晓阳，朱继锋，一种用于化学机械抛光 CMP 的保持环，发明专利，92029554CN01
[11] 王成，朱继锋，电容器及其制作方法、芯片、电路板组件及电子设备，发明专利，92074984CN01
[12] 王成，朱继锋，一种新型电化学镀铜洗边管路装置，发明专利，92074967CN01
[13] 王成，白晓阳，赵岩翀，一种铜表界面离子束处理促进混合键合过程中铜-铜互熔的优化方法，商业秘密，92045303
[14] 王天玉，王成，朱继锋，半导体器件、芯片、电子设备及半导体器件的制备方法，发明专利，92035431CN01 [已海外布局]
[15] 王天玉，王成，朱继锋，半导体器件、芯片、电子设备及半导体器件的制备方法，发明专利，92035431PCT02
[16] 王天玉，王成，朱继锋，半导体器件、芯片、电子设备及半导体器件的制备方法，发明专利，92035431TW03
[17] 王天玉，王成，董金文，朱继锋，一种形成三维MIMCAP结构的方法，发明专利，92079199CN01
[18] 曹化强，王成，一种石墨烯的合成方法，CN110422839A
[19] 陈嘉伟，白晓阳，王成，控压气囊模组、抛光头和抛光设备，发明专利，92032073CN01
[20] 谢王晖，巩泽浩，殷剑雍，王成，朱继锋，付洋，林城策，一种改善MIM TiN 致密度Rs的方法，发明专利，92073669CN01
2025/01，华为技术有限公司xx研发部“2024年度十大高潜专利”
2024/01，华为技术有限公司xx研发部“2023年度五大高潜专利”
2023/08，华为技术有限公司xx研发部长奖
2023/01，华为技术有限公司xx研发部“2022年度十大优秀论文”
2022/12，华为技术有限公司质量之星
2021/05，第632期清华大学博士生学术论坛-会议墙报一等奖
2018/10，清华大学优秀学生干部
2016/06，天津大学优秀毕业生
2015/07，天津市高分子化学与物理竞赛一等奖
2014/12，天津市优秀学生干部
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